GaN MOCVD中气相化学反应机理的研究进展

• 作者: 师珺草 时亚茹 王丹 袁罗
• 来源期刊: 机械工程师
• 学科: 物理学
• 关键词: GaN薄膜 反应机理 反应器结构 自由基 量子化学
• 年，卷（期）: 2017,（11）
• 所属期刊栏目: 机械研究与分析
• 页码范围: 4-7
• 页数: 4页
• 分类号: O484
• 字数: 4082字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1002-2333.2017.11.002

摘要

总结了MOCVD生长GaN薄膜过程中气相化学反应机理的研究进展.首先分别从反应器结构和自由基对气相反应机理的影响进行总结与分析,得到不同影响条件下的反应路径趋势;然后介绍了量子化学计算在GaNMOCVD气相化学反应机理研究中的应用与发展.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王丹	重庆能源职业学院能源工程系	10	7	1.0	2.0
2	时亚茹	重庆能源职业学院能源工程系	4	11	1.0	3.0
3	袁罗	重庆能源职业学院能源工程系	5	3	1.0	1.0
4	师珺草	郑州工商学院机电学院	1	1	1.0	1.0