三维方孔硅探测器的热中子探测影响研究

• 作者: 伍建春 刘彪 展长勇 邹宇
• 来源期刊: 原子能科学技术
• 关键词: 热中子探测 Geant4 硅
• 年，卷（期）: 2017,（6）
• 所属期刊栏目: 技术及应用
• 页码范围: 1065-1070
• 页数: 6页
• 分类号: TL816.3
• 语种: 中文
• DOI: 10.7538/yzk.2017.51.06.1065

摘要

采用基于Monte-Carlo方法的Geant4程序对填充6LiF中子转换材料的三维方孔硅探测器的热中子探测进行了模拟,研究了探测器结构与探测效率、能量沉积谱的关系.探究了方孔截面尺寸、孔间距、孔深度、系统最小可探测限(LLD)等参数对热中子探测效率的影响.研究结果表明,探测效率随截面尺寸或孔间距的增大先增加后减小,随孔深度的增加而增大,直到一个极限值.经优化结构参数,在LLD为300 keV的情况下,孔间距大于6μm的三维方孔硅探测器的探测效率受LLD的影响较小.理论上,三维方孔硅探测器的最佳尺寸为孔间距6μm、孔截面尺寸30 μm、孔深度1 mm,其探测效率可达59.5％.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	邹宇	四川大学原子核科学技术研究所辐射物理及技术教育部重点实验室	5	1	1.0	1.0
2	伍建春	四川大学原子核科学技术研究所辐射物理及技术教育部重点实验室	4	0	0.0	0.0
3	刘彪	四川大学原子核科学技术研究所辐射物理及技术教育部重点实验室	6	16	3.0	4.0
4	展长勇	四川大学原子核科学技术研究所辐射物理及技术教育部重点实验室	3	3	1.0	1.0