国外巨磁阻抗传感器检测电路技术的发展动态

• 作者: 周晗 张大厦 张文娜 潘仲明
• 来源期刊: 仪器仪表学报
• 学科: 工学
• 关键词: 磁传感器 GMI/AGMI效应 非晶丝(带) 模拟电路
• 年，卷（期）: 2017,（4）
• 所属期刊栏目: 传感技术
• 页码范围: 781-793
• 页数: 13页
• 分类号: TH73
• 字数: 6995字
• 语种: 中文

摘要

基于非晶态合金材料巨磁阻抗(GMI)效应和非对称巨磁阻抗(AGMI)效应磁传感器是近20年来磁传感器技术领域的研究热点之一.一些国外学者认为非晶态合金材料适合于制作能同时满足分辨力高、响应速度快、功耗低等要求的微磁传感器.然而,迄今为止,国外研发的绝大多数高分辨力GMI磁传感器仍停留在原理样机阶段,其主要技术指标甚至低于商品化各向异性磁阻(AMR)和巨磁电阻(GMR)磁传感器.简要叙述了非晶态合金材料的GMI效应和退火处理对GMI效应的影响,重点介绍了国外研发的各种不同类型的基于非晶丝(带)的GMI磁探头、模拟信号检测电路及其参考性能指标,并探讨了研发高灵敏度GMI磁传感器的关键技术.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	潘仲明	国防科学技术大学机电工程与自动化学院	25	124	7.0	9.0
2	周晗	国防科学技术大学机电工程与自动化学院	2	9	2.0	2.0
3	张大厦	国防科学技术大学机电工程与自动化学院	1	7	1.0	1.0
4	张文娜	国防科学技术大学机电工程与自动化学院	5	50	4.0	5.0