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摘要:
采用原子层沉积技术(ALD)进行Al2O3薄膜工艺研究,获得85 ℃低温Al2O3薄膜ALD的最佳工艺条件.使用椭偏仪测试厚度,使用扫描探针显微镜对薄膜表面形貌进行分析,使用紫外-分光光度计对薄膜的透过率进行分析,所用水汽透过率测试仪器是自行开发的基于钙电学法的测试仪器.分析了在85 ℃低温下的生长工艺条件对薄膜性能的影响,从前驱体脉冲时间,吹扫时间等工艺条件,对Al2O3薄膜的工艺条件进行优化.以三甲基铝(TMA)和H2O为前驱体制备的Al2O3薄膜:沉积速率为0.1 nm/cycle,表面粗糙度为0.46 nm,对550 nm波长光透过率为99.2%,薄膜厚度不均匀性为1.89%,200 nm的Al2O3薄膜的水汽透过率为1.55×10-4 g/m2/day.
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文献信息
篇名 TMA脉冲和吹扫时间对原子层沉积的氧化铝薄膜的影响
来源期刊 功能材料 学科 工学
关键词 原子层沉积 Al2O3薄膜 三甲基铝 脉冲
年,卷(期) 2017,(7) 所属期刊栏目 工艺·技术
研究方向 页码范围 178-181
页数 4页 分类号 TB332
字数 2138字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1001-9731.2017.07.035
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 张浩 上海大学新型显示技术及应用集成教育部重点实验室 19 62 5.0 6.0
3 魏斌 上海大学新型显示技术及应用集成教育部重点实验室 16 21 3.0 4.0
6 李春亚 上海大学新型显示技术及应用集成教育部重点实验室 3 10 2.0 3.0
7 宋建涛 上海大学新型显示技术及应用集成教育部重点实验室 2 2 1.0 1.0
8 丁星伟 上海大学新型显示技术及应用集成教育部重点实验室 1 1 1.0 1.0
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原子层沉积
Al2O3薄膜
三甲基铝
脉冲
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研究去脉
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功能材料
月刊
1001-9731
50-1099/TH
16开
重庆北碚区蔡家工业园嘉德大道8号
78-6
1970
chi
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