专利信息

• 来源期刊: 磨料磨具通讯
• 学科: 工学
• 关键词: 专利信息 纳米二氧化硅 单晶金刚石 同质外延生长 衬底表面 生长方法 颗粒分散 刻蚀技术
• 年，卷（期）: 2017,（9）
• 页码范围: 42-43
• 页数: 2页
• 分类号: TN304.054

摘要

本发明公开了一种基于自组装工艺的高质量单晶金刚石生长方法，按照以下步骤实施：步骤一、将纳米二氧化硅颗粒分散到酒精、异丙醇或者丙酮溶液中，制备得到纳米二氧化硅分散液：步骤二、将分散液滴到单晶金刚石衬底表面，通过旋涂使其在单晶金刚石衬底表面均匀分散；步骤三、通过反应离子刻蚀技术，刻蚀单晶金刚石衬底表面的纳米二氧化硅，形成自断裂的二氧化硅掩膜，使单晶金刚石衬底表面部分裸露；步骤四、通过在裸露的单晶金刚石衬底表面进行金刚石同质外延生长，并在二氧化硅掩膜上进行金刚石横向生长，即在衬底上生长出单晶金刚石薄膜，解决了现有采用同质外延生长法制备金刚石薄膜质量偏低的问题。