中高压SiC IGBT智能栅极驱动研究及应用

• 作者: 欧阳文军 马永兵
• 来源期刊: 电力电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 绝缘栅双极型晶体管 栅极驱动 开关损耗
• 年，卷（期）: 2017,（8）
• 所属期刊栏目: 宽禁带半导体电力电子器件专辑
• 页码范围: 37-41
• 页数: 5页
• 分类号: TN32
• 语种: 中文

摘要

提出一种电流源型智能化抗电磁干扰(EMI)的有源中压栅极驱动电路,该驱动电路采用传统驱动芯片集成设计而来,不仅可提供先进的栅极驱动,且具备隔离保护和状态监测功能.采用15 kV中压SiC绝缘栅双极型晶体管(IGBT)器件设计双脉冲测试平台进行对比传统电压源型驱动的实验,测试结果显示所提电流源型驱动在有效降低损耗的情况下,兼顾改善电流变化率,并具备快速关断和降低保护响应时间的优势.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	马永兵		9	1	1.0	1.0
2	欧阳文军		1	0	0.0	0.0