氮化镓体单晶生长的进展

• 作者: 任国强 徐科 王建峰
• 来源期刊: 电力电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 氮化镓 单晶 氢化物气相外延
• 年，卷（期）: 2017,（8）
• 所属期刊栏目: 宽禁带半导体电力电子器件专辑
• 页码范围: 53-57
• 页数: 5页
• 分类号: TN248.4
• 语种: 中文

摘要

主要讨论了3种氮化镓(GaN)体单晶生长技术,包括氢化物气相外延(HVPE)、助熔剂法、氨热方法.首先叙述了在HVPE法制备GaN体单晶方面的研究进展,包括位错的减少、应变的控制、衬底的分离和掺杂等.比较了3种方法的生长机制.其次,通过纳米压痕仪和高空间分辨表面光电压谱两种方法研究了体单晶中位错的力学行为.最后,介绍了GaN体单晶衬底在器件方面的应用.