增强型GaN功率器件及集成技术

• 作者: 周建军 孔岑 孔月婵 张凯
• 来源期刊: 电力电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 功率器件 氮化镓 增强型 集成技术
• 年，卷（期）: 2017,（8）
• 所属期刊栏目: 宽禁带半导体电力电子器件专辑
• 页码范围: 58-60
• 页数: 3页
• 分类号: TN3
• 语种: 中文

摘要

针对氮化镓(GaN)功率器件的研制,采用栅区域势垒层减薄技术及p-GaN栅结构,分别研制了阈值电压2V以上、击穿电压1 200V以上的凹槽栅结构和阈值电压1.1V、击穿电压350 V以上、输出电流10 A以上的p-GaN栅结构增强型GaN功率器件.同时基于栅区域势垒层减薄技术,开发了GaN增强型/耗尽型(E/D)集成技术,并展示了采用E/D集成技术研制的51级GaN环形振荡器验证电路,集成了106只晶体管,级延时仅24.3 ps.