GaN功率开关器件驱动技术的研究与发展

• 作者: 张弘 郑介鑫 郭建平
• 来源期刊: 电力电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 功率器件 高压功率转换器 驱动电路
• 年，卷（期）: 2017,（8）
• 所属期刊栏目: 宽禁带半导体电力电子器件专辑
• 页码范围: 71-74,94
• 页数: 5页
• 分类号: TN3
• 语种: 中文

摘要

以Si材料为基础的传统电力电子功率器件已逐步逼近其理论极限,难以满足电力电子技术高频化和高功率密度化的发展需求.与传统的Si器件相比,氮化镓(GaN)器件展现了其在导通电阻和栅极电荷上的优势,可使功率转换器实现更小体积、更高频率及更高效率,从而在汽车、通信、工业等领域中具有广阔的应用前景.然而,缺乏高速GaN栅极驱动是目前GaN功率转换器未能大力推广的主要原因之一.详细研究了增强型GaN功率器件驱动电路设计的各种问题,如效率、损耗、延迟时间、栅极振荡、自举电压上升、抗电压变化率干扰、死区时间、反向导通损耗及寄生效应等,并综述了针对上述问题的相应解决方法及优缺点,最后讨论了GaN栅极驱动的未来发展趋势.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张弘		42	192	7.0	11.0
2	郑介鑫		1	0	0.0	0.0
3	郭建平		1	0	0.0	0.0