P-N结型耗尽沟道的势垒高度解析模型

• 作者: 乔坚栗 杨建红 肖彤 陈健
• 来源期刊: 科学通报
• 关键词: P-N结 耗尽沟道 势垒模型 泊松方程 解析表达式
• 年，卷（期）: 2017,（28）
• 所属期刊栏目: 论文
• 页码范围: 3392-3399
• 页数: 8页
• 语种: 中文
• DOI: 10.1360/N972016-00806

摘要

P-N结型耗尽沟道的电流输运取决于沟道中的势垒高度,本文构建了沟道势垒模型,基于器件物理分析给出了势垒高度的解析表达式.该模型对沟道内和沟道外耗尽区的边界条件做了合理的假设和分析,通过求解泊松方程获得上述两个区域的电势分布,将这两个区域的电势分布综合起来推导出了势垒高度的解析表达式.该表达式较为完整地反映了势垒高度与器件材料参数、结构参数及外加偏压的关系.将解析模型与数值模拟结果做了比较,两者吻合很好.该模型的构建对于分析具有P-N结型耗尽沟道的半导体器件有重要意义.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈健		36	212	6.0	13.0
2	杨建红		44	143	6.0	9.0
3	肖彤		1	0	0.0	0.0
4	乔坚栗		1	0	0.0	0.0