氨气流量对富硅SiNx薄膜结构及其光学特性的影响

• 作者: 丁德松 周炳卿 翁秀章 谷鑫 部芯芯
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 等离子体增强化学气相沉积 富硅-氮化硅 红外光谱 微观结构
• 年，卷（期）: 2017,（12）
• 页码范围: 2369-2373
• 页数: 5页
• 分类号: TQ174.75
• 字数: 2717字
• 语种: 中文

摘要

采用等离子体增强化学气相沉积技术,以NH3、SiH4和N2为反应气体制备富硅-氮化硅薄膜.在优化了其它沉积参数条件下,研究氨气流量对富硅-氮化硅薄膜的结构和光学性质的影响.利用傅立叶变换红外光谱、紫外可见光谱和X射线衍射谱分析了薄膜的键合情况、带隙结构.结果表明,随着NH3流量的增大,薄膜中的Si-N键和N-H键增强,Si-H键减小并向高波数方向移动,薄膜逐渐由非晶SiNx相向小晶粒Si3 N4相转变.同时随着NH3流量的增大,薄膜的光学带隙逐渐展宽,微观结构的有序度降低.XRD图谱分析表明薄膜内的平均晶粒尺寸也随着氨气流量的增加而在逐渐增大.结合以上结果分析,适当增加NH3流量有助于薄膜由非晶SiNx向包含小晶粒的Si3 N4转变.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周炳卿	内蒙古师范大学物理与电子信息学院功能材料物理与化学自治区重点实验室	45	134	6.0	8.0
2	部芯芯	内蒙古师范大学物理与电子信息学院功能材料物理与化学自治区重点实验室	5	5	1.0	1.0
3	谷鑫	内蒙古师范大学物理与电子信息学院功能材料物理与化学自治区重点实验室	2	2	1.0	1.0
4	翁秀章	内蒙古师范大学物理与电子信息学院功能材料物理与化学自治区重点实验室	2	2	1.0	1.0