脉冲激光烧蚀制备纳米硅晶粒成核生长的热力学条件研究

• 作者: 丁学成 王英龙 秦爱丽 褚立志 邓泽超
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 蒙特卡洛方法 阻力模型 成核和生长
• 年，卷（期）: 2017,（12）
• 页码范围: 2343-2347
• 页数: 5页
• 分类号: TQ127.2
• 字数: 2603字
• 语种: 中文

摘要

文中利用蒙特卡洛方法,引入成核生长模型,研究了纳米硅晶粒成核生长过程.结合宏观阻力模型,计算了纳米硅成核和生长所对应的过饱和度范围.结果显示,衬底的二次溅射,造成成核次数增多,生成小尺寸纳米晶粒的数量增加;晶粒成核过程和生长过程所需要的过饱和度范围不同,过饱和度较大(>2600)时成核次数多生长次数少;而过饱和度在250～2600时生长次数多成核次数少.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	邓泽超	河北大学物理科学与技术学院	48	123	6.0	8.0
2	褚立志	河北大学物理科学与技术学院	47	155	7.0	10.0
3	丁学成	河北大学物理科学与技术学院	44	89	5.0	7.0
4	王英龙	河北大学物理科学与技术学院	96	301	9.0	12.0
5	秦爱丽	河北大学物理科学与技术学院	5	1	1.0	1.0