高频SiC单相逆变器调制策略研究

• 作者: 张纯江 杨勇 郭小强
• 来源期刊: 电力电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 逆变器 调制策略 高频开关
• 年，卷（期）: 2017,（12）
• 所属期刊栏目: 高频、超高频电力电子功率变换技术专辑
• 页码范围: 23-25
• 页数: 3页
• 分类号: TM464
• 语种: 中文

摘要

逆变器高频运行时,开关损耗和死区影响问题更加突出.如何减小高频开关损耗,同时消除死区的影响是逆变器高频运行需要解决的关键问题.以高频SiC单相逆变器为研究对象,针对传统双极性调制存在的问题,设计了一种改进调制策略,利用SiC开关器件反并联二极管的续流特性,在半个工频周期内将2个开关一直处于关闭状态,不仅减小了高频开关损耗,而且避免了桥臂直通的风险,无需加入死区,消除了死区引起的负面影响,最后搭建了高频SiC逆变器进行了实验研究,结果验证了设计方案的有效性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张纯江		98	1618	19.0	39.0
2	杨勇		11	77	3.0	8.0
3	郭小强		58	1476	12.0	38.0