AlGaInAs/InP多量子阱激光器的量子阱数的优化

• 作者: 刘应军 尹晋宏 李灯熬 罗飚 贾华宇
• 来源期刊: 激光杂志
• 学科: 工学
• 关键词: 多量子阱 激光器 量子阱数 器件模拟
• 年，卷（期）: 2017,（9）
• 所属期刊栏目: 激光器件与元件
• 页码范围: 9-13
• 页数: 5页
• 分类号: TN248.4
• 语种: 中文
• DOI: 10.14016/j.cnki.jgzz.2017.09.009

摘要

为了研制符合“国家863”项目要求的,满足高线性大功率直接调制应变多量子阱半导体激光器,对AlGaInAs/InP应变多量子阱激光器的有源区的量子阱数及芯片生长工艺进行了研究.根据求解速率方程组、计算载流子浓度分布,分析瞬态过程和稳态过程,得出理论最优阱数,再在最优阱数下对比不同温度下的激光器的各项性能指标,得出最佳温度值.基于ALDS软件模拟建立了AlGaInAs/InP仿真模型,模拟结构输入、材料求解、阈值分析、性能计算等.讨论了不同量子阱个数、不同温度对器件稳态、大小信号、噪声等的影响.结果表明,当阱组分为Al0.24 Ga0.23In0.弱As,阱宽为3.3nm,垒宽为8.1nm,阱数为10,温度为25℃,本激光器各项性能指标均为最优,阈值电流达13.40mA,输出功率为5.6mW.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李灯熬	太原理工大学信息工程学院	76	285	7.0	12.0
2	贾华宇	太原理工大学信息工程学院	20	49	4.0	5.0
3	罗飚		14	21	3.0	3.0
4	刘应军		5	7	1.0	2.0
5	尹晋宏	太原理工大学物理与光电工程学院	1	1	1.0	1.0