SiCp/Al复合材料在Cl-环境中的点蚀行为

• 作者: 周贤良 宋龙飞 崔霞 欧阳德来
• 来源期刊: 材料导报
• 学科: 工学
• 关键词: 点蚀 电化学阻抗 Cl-环境 机制 SiCp/Al复合材料
• 年，卷（期）: 2017,（z2）
• 页码范围: 372-375
• 页数: 4页
• 分类号: TB331
• 字数: 3209字
• 语种: 中文

摘要

通过浸泡模拟实验方法,研究了 SiCp/Al复合材料在Cl-环境中的点蚀行为.结果表明,SiCp/Al 复合材料点蚀主要出现在 SiC颗粒附近,SiC与 Al基体界面结合处为点蚀的优先发生位置.Cl-和界面反应物对点蚀的形成和发展起主要促进作用.Nyquist曲线在0~3 d时由容抗弧组成,Bode曲线在0.1~10000 Hz 出现高频相角峰,点蚀腐蚀过程机制表现为单纯电荷传递过程机制.3 d后 Nyquist曲线出现一个高频区的容抗弧和低频区的一条与实轴成45°的直线(经典 Warburg 阻抗),Bode 曲线在0.1~10000 Hz出现高频相角峰并在0.001~0.1 Hz出现一个不太明显的低频相角峰,点蚀腐蚀过程机制表现为电荷传递过程与腐蚀产物扩散共同作用的混合机制.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周贤良	南昌航空大学材料科学与工程学院	111	792	14.0	22.0
3	崔霞	南昌航空大学材料科学与工程学院	50	292	10.0	15.0
5	欧阳德来	南昌航空大学材料科学与工程学院	55	353	10.0	17.0
10	宋龙飞	南昌航空大学材料科学与工程学院	4	12	2.0	3.0