掺钨VO2薄膜的电致相变特性

• 作者: 刘志敏 张娇 方宝英 李政鹏 李毅 王晓华 肖寒 裴江恒 黄雅琴
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 掺钨VO2 薄膜 电致相变 阈值电压 光透过率
• 年，卷（期）: 2017,（23）
• 所属期刊栏目: 物理学交叉学科及有关科学技术领域
• 页码范围: 307-316
• 页数: 10页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.66.238101

摘要

采用直流磁控溅射与后退火工艺相结合的方法,在掺氟SnO2(FTO)导电玻璃基底上制备了高质量的掺钨VO2薄膜,对薄膜的结构、表面形貌和光电特性进行测试,分析了钨掺杂对其相变性能的影响.结果表明,室温下掺钨VO2薄膜的阈值电压为4.2 V,观察到阈值电压下约有两个数量级的电流突变.随着温度升高,相变的阈值电压降低,且电流突变幅度减小.当施加8 V电压时,分别在不同温度下测试了掺钨VO2薄膜的透过率.温度为20和50℃ 时,掺钨VO2薄膜相变前后的红外透过率差量分别为23%和27%.与未掺杂的VO2薄膜相比,掺钨VO2薄膜具有相变温度低、阈值电压低和电阻率小的特点,在高速光电器件中有广阔的应用前景.