Mg掺杂对CaMnO3基热电氧化物电子结构及电性能的影响研究

• 作者: 任一新 张久兴 张忻 张飞鹏 杨欢 陈湘
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: CaMnO3 Mg掺杂 电子结构
• 年，卷（期）: 2017,（9）
• 页码范围: 1791-1797
• 页数: 7页
• 分类号: TN34
• 字数: 3985字
• 语种: 中文

摘要

采用超软赝势密度泛函理论计算的方法研究了Mg掺杂Ca位CaMnO3基复合氧化物的能带结构、电子态密度和电荷分布状况,在此基础上分析了Mg掺杂氧化物的电性能.结果表明,Mg掺杂CaMnO3氧化物仍然呈间接带隙型能带结构,带隙宽度由0.756eV减小到0.734eV.CaMnO3氧化物和Mg掺杂CaMnO3氧化物的自旋态密度曲线极值点均位于为-0.8eV附近.Mg掺杂CaMnO3氧化物中Mn原子对体系费米面态密度的贡献有所减小,O原子和Ca原子对体系费米面态密度的贡献有所增大.Mg原子比Ca原子具有更强的释放电子的能力,Mg掺杂对于CaMnO3氧化物属于电子型掺杂.Mg掺杂CaMnO3氧化物导电性能增强,电性能提高.