基于SiC功率器件的单相APF开关损耗分析及应用技术研究

• 作者: 杨东 杨龙月 蒲新征 贾晨曦
• 来源期刊: 电网技术
• 学科: 工学
• 关键词: SiC 功率器件 单相APF 开关损耗模型 寄生参数
• 年，卷（期）: 2017,（12）
• 所属期刊栏目: 电力系统
• 页码范围: 4030-4037
• 页数: 8页
• 分类号: TM76
• 语种: 中文
• DOI: 10.13335/j.1000-3673.pst.2017.0304

摘要

提出一种应用于单相有源滤波器(active power filter, APF)的SiC 功率器件的开关损耗模型.该模型考虑了封装和印制电路板(printed circuit board,PCB)的寄生参数与器件结电容的非线性.详细阐述四种单相APF 工作状态下的建模原理,并给出了各工作状态下各时间段的开关过程分析与损耗计算方程.基于影响APF 谐波补偿性能的关键因素的分析,结合APF 的工作特点,提出SiC 器件高开关频率兼容驱动方式与封装及电路布局优化方案.搭建基于单相APF的SiC 功率器件测试实验样机,在不同电压点和电流点下进行测试,并将测试结果与估算结果进行比较.比较结果高度吻合,功率损耗误差在10％以内,验证了提出的开关损耗模型的准确性和有效性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨龙月		11	122	5.0	11.0
2	蒲新征		4	2	1.0	1.0
3	贾晨曦		5	48	2.0	5.0
4	杨东		1	0	0.0	0.0