方波脉冲下不同纳米添加物对聚酰亚胺薄膜电气性能影响

• 作者: 吴广宁 吴旭辉 张兴涛 朱健 杨雁 钟鑫
• 来源期刊: 高电压技术
• 关键词: 聚酰亚胺 方波脉冲 不同纳米添加物 介电频谱 局部放电 耐电晕
• 年，卷（期）: 2017,（12）
• 所属期刊栏目: 电气绝缘与测试
• 页码范围: 3819-3826
• 页数: 8页
• 语种: 中文
• DOI: 10.13336/j.1003-6520.hve.20171127002

摘要

为了研究不同纳米添加物对聚酰亚胺(polyimide,PI)电气性能的影响,采用原位聚合法制备了纯PI薄膜、PI质量分数10％的PI/SiO2和PI/Al2O3纳米复合薄膜,测试其电导率(表面、体积电导率)、介电频谱、方波脉冲下的局部放电以及耐电晕性能,并用SEM观察击穿点周围的表面形貌.结果表明:PI/SiO2膜的电导率大于PI/Al2O3膜,其中表面电导率是PI/Al2O3膜的6倍;PI/Al2O3膜、PI/SiO2膜、PI膜的介电常数依次降低;PI/SiO2膜和纯PI膜的介电损耗角正切值(tanδ)随频率的增加先减小后增大,PI/Al2O3膜的tanδ值在6kHz后最大;由于空间电荷弛豫,PI/Al2O3膜的tanδ值在0.02Hz左右出现了一个峰值;另外,因为电荷扩散能力不同,PI/SiO2膜、PI/Al2O3膜以及PI膜的局部放电起始电压和耐电晕时间依次减小,而局部放电的平均幅值则依次增大;电晕放电使得3种薄膜表面都形成了很多微孔、裂纹,纳米复合薄膜表面出现块状物.研究结果表明:复合薄膜中界面体积分数和纳米粒子极性,是造成PI/SiO2薄膜和PI/Al2O3薄膜电气性能差异的主要原因.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴广宁		458	6939	39.0	56.0
2	张兴涛		11	13	2.0	3.0
3	杨雁		15	13	2.0	3.0
4	钟鑫		15	32	3.0	5.0
5	吴旭辉		12	13	2.0	3.0
6	朱健		8	27	3.0	5.0