电场对Ti和Zn掺杂单层SnSe磁性的影响

• 作者: 常姗姗 戴宪起 李伟 王小龙 马亚强
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 物理学
• 关键词: 单层SnSe 掺杂 磁性 电场
• 年，卷（期）: 2017,（9）
• 所属期刊栏目: 研究·开发
• 页码范围: 96-99
• 页数: 4页
• 分类号: O471.5
• 字数: 2251字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-9731.2017.09.017

摘要

采用基于第一性原理的密度泛函理论对过渡金属Ti和Zn掺杂单层SnSe的磁性进行研究.计算表明,Ti比Zn更易在单层SnSe体系中掺杂,Ti掺杂体系具有磁性,体系的费米能级向导带移动,而Zn掺杂单层SnSe体系不具有磁性.加外电场使得Ti和Zn在单层SnSe中掺杂变难,外电场会引起Ti掺杂单层SnSe体系的电荷重新分布.在-4~4 V/nm范围内,外电场对Ti和Zn掺杂SnSe体系的磁性影响很小.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	戴宪起	河南师范大学物理与材料科学学院	42	133	6.0	9.0
2	李伟	河南师范大学物理与材料科学学院	118	359	9.0	12.0
3	马亚强	河南师范大学物理与材料科学学院	3	2	1.0	1.0
4	常姗姗	河南师范大学物理与材料科学学院	1	0	0.0	0.0
5	王小龙	河南师范大学物理与材料科学学院	2	6	1.0	2.0