过渡金属掺杂的扶手椅型氮化硼纳米带的 磁电子学特性及力-磁耦合效应

• 作者: 刘娟 张振华 胡锐 范志强
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 氮化硼纳米带 过渡金属修饰 磁电子学特性 力-磁耦合效应
• 年，卷（期）: 2017,（23）
• 所属期刊栏目: 物理学交叉学科及有关科学技术领域
• 页码范围: 317-327
• 页数: 11页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.66.238501

摘要

基于密度泛函理论的第一性原理计算方法,研究了多种过渡金属(TM)掺杂扶手椅型氮化硼纳米带(ABNNR-TM)的结构特点、磁电子特性及力-磁耦合效应.计算的结合能及分子动力学模拟表明ABNNR-TM的几何结构是较稳定的,同时发现对于不同的TM掺杂,ABNNRs能表现出丰富的磁电子学特性,可以是双极化磁性半导体、一般磁性半导体、无磁半导体或无磁金属.双极化磁性半导体是一种重要的稀磁半导体材料,它在巨磁阻器件和自旋整流器件上有重要的应用.此外,力-磁偶合效应研究表明:ABNNR-TM的磁电子学特性对应力作用十分敏感,能实现无磁金属、无磁半导体、磁金属、磁半导体、双极化磁性半导体、半金属等之间的相变.特别是呈现的宽带隙半金属对于发展自旋电子器件有重要意义.这些结果表明:可以通过力学方法来调控ABNNR-TM的磁电子学特性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张振华	长沙理工大学物理与电子科学学院	38	195	9.0	12.0
2	范志强	长沙理工大学物理与电子科学学院	13	33	3.0	4.0
3	刘娟	长沙理工大学物理与电子科学学院	5	7	1.0	2.0
4	胡锐	长沙理工大学物理与电子科学学院	2	2	1.0	1.0