利用模拟对SiC双极性器件的开发

• 作者: 刘瑞红 吴晓静 李烨 邓隐北
• 来源期刊: 电源世界
• 学科: 工学
• 关键词: 碳化硅(SiC) 双极性器件 模拟耐压特性 顺向特性 开关特性
• 年，卷（期）: 2017,（10）
• 页码范围: 34-38
• 页数: 5页
• 分类号: TN303

摘要

在宽禁带（wide band-gap）半导体的Si C器件中,为实现1.3k V以上的高耐压,双极性器件被认为是有利的。富士电机公司对模拟的预测与实测结果之差异进行分析,通过反复修改参数,进一步提高了预测精度。实施了耐压特性模拟、顺向特性模拟和开关特性模拟,然后在参数中反映出测量的物理性能值,并考虑到界面电荷和寄生阻抗,结果可以高精度的再现实际器件的特性。