SiC MOSFET在感应加热电源中的应用

• 作者: 史孟 彭咏龙 李亚斌 江涛
• 来源期刊: 电测与仪表
• 学科: 工学
• 关键词: SiCMOSFET 高频 感应加热
• 年，卷（期）: 2017,（12）
• 所属期刊栏目: 工程与应用
• 页码范围: 112-116
• 页数: 5页
• 分类号: TM13
• 字数: 2273字
• 语种: 中文

摘要

目前,感应加热电源技术主要朝着大功率、高频率和智能化控制技术的方向发展.然而,随着逆变开关频率的提高,功率器件的开关损耗随之增加.具有高临界雪崩击穿电场强度、高热导率、小介电常数等突出优点的宽禁带半导体材料SiC MOSFET的应用为这一问题的解决提供了理想的方案.本文详细研究了感应加热电源逆变器的设计、SiC MOSFET器件的驱动电路以及电源的功率扩展等问题;开发出了频率超过800 kHz,单逆变桥功率超过50kW的新型感应加热电源;通过并桥处理,电源单机容量可达200 kW,在一定程度上填补了将新型SiC MOSFET器件应用于感应加热领域的空白.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	彭咏龙	华北电力大学电气与电子工程学院	85	846	17.0	25.0
2	李亚斌	华北电力大学电气与电子工程学院	64	580	13.0	21.0
3	史孟	华北电力大学电气与电子工程学院	6	20	2.0	4.0
4	江涛	华北电力大学电气与电子工程学院	5	20	2.0	4.0