基于MOSFET的限流式固态断路器及其过电压抑制

• 作者: 何棒棒 卢其威 滕尚甫 雷婷 高志宣
• 来源期刊: 电工技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: 固态断路器 低压 限流 过电压分析 MOSFET
• 年，卷（期）: 2017,（24）
• 所属期刊栏目: 电机与电器
• 页码范围: 42-52
• 页数: 11页
• 分类号: TM561
• 字数: 5128字
• 语种: 中文
• DOI: 10.19595/j.cnki.1000-6753.tces.L70738

摘要

针对低压交流场合,对基于功率MOSFET的限流式固态断路器关断过程中的开关管两端电压、主电路中电流变化规律进行详细的理论分析,并提出一种过电压抑制电路,在分析其工作原理的基础上,给出电路参数选择的理论依据.最后,研制一台额定输入电压为220V、限流值为150A的基于MOSFET并联的固态断路器,并进行实验验证.对研发应用在低压交流场合的限流式固态断路器起到较好的理论指导作用.