衬底温度对直流反应磁控溅射TiN电极薄膜显微结构及导电性能的影响

• 作者: 周大雨 周方杨 徐进 杨喜锐 梁海龙 赵鹏
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 工学
• 关键词: TiN 电极薄膜 衬底温度 电阻率
• 年，卷（期）: 2017,（8）
• 所属期刊栏目: 工艺·技术
• 页码范围: 203-207
• 页数: 5页
• 分类号: TB43
• 字数: 3752字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-9731.2017.08.036

摘要

二氧化铪基新型铁电薄膜器件等研究提出了在低衬底温度下制备高导电性和低表面粗糙度纳米超薄TiN电极薄膜的迫切需求.利用直流反应磁控溅射方法在单晶硅基片上制备TiN薄膜,衬底温度范围从室温~350 ℃,以XPS、XRD、AFM以及XRR等为主要手段对薄膜样品的成分、物相、表面粗糙度以及厚度和密度等进行了表征分析.结果表明在350 ℃的较低衬底温度下,通过减少溅射沉积时间可获得厚度<30 nm的高导电性TiN电极薄膜.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周大雨		11	18	3.0	4.0
2	梁海龙	大连理工大学材料科学与工程学院三束材料改性教育部重点实验室	2	5	1.0	2.0
3	赵鹏	大连理工大学材料科学与工程学院三束材料改性教育部重点实验室	14	40	3.0	6.0
4	周方杨	大连理工大学材料科学与工程学院三束材料改性教育部重点实验室	1	0	0.0	0.0
5	徐进	大连东软信息学院电子工程系	4	5	1.0	2.0
6	杨喜锐	大连理工大学材料科学与工程学院三束材料改性教育部重点实验室	2	0	0.0	0.0