基于国产InGaAs/InP APD的高速单光子探测

• 作者: 曾和平 梁焰 白郭敏
• 来源期刊: 电子测量技术
• 学科: 工学
• 关键词: 单光子探测 正弦门 暗计数 后脉冲
• 年，卷（期）: 2017,（6）
• 所属期刊栏目: 光电测试技术
• 页码范围: 175-179,196
• 页数: 6页
• 分类号: TN247
• 字数: 4666字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1002-7300.2017.06.039

摘要

InGaAs/InP雪崩光电二极管(InGaAs/InP APD)是近红外单光子探测器的核心器件之一,其国产化已成为趋势.InGaAs/InP APD工作于1.25 GHz门控盖革模式下,由于APD本身的电容特性,单光子触发产生的雪崩电信号被尖峰噪声所湮没,采用低通滤波的方法可以将有效雪崩信号从尖峰噪声提取出来.为了探讨国产APD的参数水平,对不同温度不同探测效率下国产InGaAs/InP APD的暗计数及后脉冲概率,时间抖动性等相关性能参数进行了测量,并与国外数据进行了对比.当国产InGaAs/InP APD工作于-25 ℃,探测效率10 ％时,暗计数可低至9.9 X10 7/gatc,后脉冲仅为1.5这表明在InGaAs/InP APD这一领域,我国已接近国外水平,但仍有一定的进步空间.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	梁焰	上海理工大学光电信息与计算机工程学院	7	13	2.0	3.0
2	曾和平	上海理工大学光电信息与计算机工程学院	17	14	3.0	3.0
3	白郭敏	上海理工大学光电信息与计算机工程学院	1	3	1.0	1.0