并联电容对带有高耦合分裂电抗器的并联高压SF6断路器开断性能的影响

• 作者: 叶建斌 李兴文 王勇 苏海博 莫文雄 郭泽
• 来源期刊: 高电压技术
• 关键词: 高耦合分裂电抗器 并联 断路器 电容 恢复电压
• 年，卷（期）: 2017,（3）
• 所属期刊栏目: 高压电器及其智能化
• 页码范围: 866-871
• 页数: 6页
• 语种: 中文
• DOI: 10.13336/j.1003-6520.hve.20170303024

摘要

带有高耦合分裂电抗器(HCSR)的并联高压SF6断路器在大容量开断有潜在的应用前景.短路电流开断试验表明该开断装置均流性能良好,但在开断时间上会存在不同期的问题,出现限流开断现象;为了进一步提高装置开断的可靠性,避免限流开断的发生,通过MATLAB的Simulink模块搭建了电路和电弧模型,研究了断口两端并联电容器对于其开断性能的影响,结果表明断口并联电容能够有效地降低断口恢复电压上升率,从而实现均流开断;最后开展了相关的试验研究,通过在断口两端并联1个0.277 μF的电容后,实现了可靠的均流开断.研究结果对于该开断装置的研制具有一定的指导意义.