过渡金属二硫族化合物在FET中的应用研究进展

• 作者: 余运龙 张浩 张禹 韦习成
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 过渡金属二硫族化合物 FET 器件
• 年，卷（期）: 2017,（5）
• 页码范围: 867-873
• 页数: 7页
• 分类号: O484.4
• 字数: 3875字
• 语种: 中文

摘要

过渡金属二硫族化合物(Transition-metal dichalcogenides,TMDs)作为一组二维材料具有丰富的物理特性,近几年因其半导特性在半导体器件上具有重要的应用前景而引其了学界的普遍关注.总结了TMDs材料的制备方法及其在场效应管(FET)上的应用研究进展,并对存在的问题以及潜在的研究方向做了展望.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	韦习成	上海大学材料科学与工程学院	84	649	15.0	21.0
2	张禹	福建江夏学院电子信息科学学院	18	15	3.0	3.0
5	余运龙	福建江夏学院电子信息科学学院	4	4	1.0	2.0
15	张浩	福建江夏学院电子信息科学学院	3	4	1.0	2.0