低位错密度4 inch GaSb(100)单晶生长及高质量衬底制备

• 作者: 刘京明 刘刚 卢伟 卢超 杨俊 杨凤云 段满龙 王俊 王凤华 王应利 董志远 谢辉 赵有文 高永亮
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 锑化镓(GaSb) 液封直拉法(LEC) 单晶 衬底
• 年，卷（期）: 2017,（5）
• 页码范围: 820-824
• 页数: 5页
• 分类号: TN304
• 字数: 2550字
• 语种: 中文

摘要

采用液封直拉法(LEC)生长了4 inch直径(100)GaSb单晶并进行了衬底晶片的加工制备.通过优化热场,可重复生长出非掺和掺Te 整锭(100)单晶,单晶锭的重量为5~8 kg, 成晶率可达80%以上.4 inch(100)晶片大部分区域的位错腐蚀坑密度小500 cm-2,其(004)双晶衍射峰的半峰宽为29弧秒,表明晶片衬底的完整性相当好.晶体生长过程中固液界面较为平坦,因而晶片表现出良好的横向电学均匀性.经研磨和机械化学抛光,制备出具备良好平整度和表面粗糙度的开盒即用衬底晶片.通过控制本征受主缺陷浓度和掺杂浓度,制备出具有良好近红外透光率的n型GaSb单晶衬底.