Vishay新款25VN沟道功率MOSFET有效提升电源效率和功率密度

• 来源期刊: 电源世界
• 学科: 工学
• 关键词: 功率MOSFET 功率密度 N沟道 电源效率 导通电阻 栅极电荷 Inc
• 年，卷（期）: dysjb_2017,（11）
• 页码范围: 20-20
• 页数: 1页
• 分类号: TM44

摘要

日前，Wishay Intertechnology,Inc．宣布，推出新的25VN沟道TrenchFET Gen IV功率MOSFET-SiRA20DP，这颗器件在10V的最大导通电阻为业内最低，仅有0．58mn。Vishay Siliconix SiRA20DP具有最低的栅极电荷。