影响化学机械抛光4H导电SiC晶片表面质量的关键参数研究

• 作者: 刘春俊 张贺 彭同华 王波 蔡振立 袁文霞 郭钰
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 碳化硅 化学机械抛光 pH值 压力 双氧水
• 年，卷（期）: 2017,（5）
• 页码范围: 759-765
• 页数: 7页
• 分类号: TN305.2|O78
• 字数: 3562字
• 语种: 中文

摘要

选用二氧化硅抛光液抛光4H导电SiC晶片表面,探究影响SiC晶片表面质量的关键参数,获得更高的去除效率和表面质量.实验结果表明,SiC表面的氧化是氢氧根离子和双氧水共同作用的结果.保持压力不变并增加氢氧根离子或双氧水的含量,SiC表面去除速率先增加后保持不变.在更大的压力下增加氢氧根离子的含量,SiC表面的抛光去除速率进一步增加.通过优化的抛光参数,SiC表面的抛光去除速率达到142 nm/h.进一步研究结果表明,保持化学机械抛光过程中氧化作用与机械作用相匹配,是获得高抛光效率和良好的表面质量的关键.表面缺陷检测仪(Candela)和原子力显微镜(AFM)的测试结果表明,SiC抛光片表面无划痕,粗糙度达到0.06 nm.外延后总缺陷密度小于1个/cm2,粗糙度达到0.16 nm.