压接式IGBT器件封装结构对并联芯片开通电流的影响与抑制

• 作者: 唐新灵 崔翔 张朋 涂浩 赵志斌
• 来源期刊: 电网技术
• 学科: 工学
• 关键词: 压接式IGBT 寄生电感 瞬态电流分布
• 年，卷（期）: 2017,（3）
• 所属期刊栏目: 电力系统
• 页码范围: 938-947
• 页数: 10页
• 分类号: TM85
• 语种: 中文
• DOI: 10.13335/j.1000-3673.pst.2016.1431

摘要

对于压接式IGBT器件,封装结构引起的寄生参数不一致将导致开通瞬态过程中并联IGBT芯片的电流分布不一致,使部分芯片在开关瞬态过程中的电流过冲太大,从而降低了开通性能.采用寄生参数提取、电路建模仿真以及实验验证的方法,首先在压接式IGBT器件各并联芯片驱动回路参数一致的条件下,研究了发射极凸台布局对并联芯片开通电流一致性的影响.其次,在发射极凸台布局完全对称的情况下,研究了栅极PCB板不对称布局对各并联芯片开通电流一致性的影响.最后,提出了一种可以改善各并联芯片开通电流一致性的双针+双层PCB板的驱动结构,并分析了该结构的均流效果.