实现组件PID合格的工艺研究

• 作者: 严金梅 张进臣 李吉 王尚鑫 魏红军
• 来源期刊: 电源技术
• 学科: 工学
• 关键词: 管式PECVD SiO2/Si3N4叠层膜 PID
• 年，卷（期）: 2017,（5）
• 所属期刊栏目: 研究与设计
• 页码范围: 774-776
• 页数: 3页
• 分类号: TM914
• 字数: 2353字
• 语种: 中文

摘要

主要研究了用在管式PECVD沉积SiO2-Si3N4叠层钝化膜对电池片效率及组件PID的影响.叠层钝化膜可以通过管式PECVD工艺一次性完成.沉积SiO2-Si3Nl4叠层膜与常规Si3N4膜进行对比,电池片效率可以提升0.07％,其中短路电流和开路电压提升明显.沉积SiO2-Si3N4叠层膜电池的组件可以实现PID合格.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	严金梅		10	8	2.0	2.0
2	李吉		9	11	2.0	2.0
3	魏红军		5	3	1.0	1.0
4	张进臣		4	3	1.0	1.0
5	王尚鑫		2	2	1.0	1.0