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摘要:
自支撑硅氧碳纳米镶嵌复合薄膜具有细小等轴β-SiC纳米晶弥散分布在非晶态相SiOxCy和游离碳基体的复合结构.利用电子顺磁共振谱(EPR)仪对900~1 200 ℃终烧薄膜复合结构中的氧空位形成进行分析;采用丝网印刷法在薄膜表面获得两条平行高温银浆电路层,并以其为散热基板进行LED器件板上芯片封装(COB).通过扫描电镜(SEM)与光学显微镜对薄膜微观形貌及封装结构进行观察,并通过LED热光参数测试仪对其结温进行探究.结果表明,终烧温度升高,薄膜氧空位浓度增大,g因子接近自由电子值2.0023.高温银浆导电层均匀致密保证良好电导效果.1 200 ℃终烧薄膜作为散热基板具有较好热传导与绝缘特性,其封装LED结温约为33.7 ℃,低于120 ℃限制,有望规模应用于大功率LED器件领域.
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关键词热度
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文献信息
篇名 硅氧碳纳米镶嵌复合薄膜的氧空位形成与散热基板封装
来源期刊 功能材料 学科 工学
关键词 硅氧碳复合薄膜 氧空位 基板 结温
年,卷(期) 2017,(6) 所属期刊栏目 工艺·技术
研究方向 页码范围 6199-6202,6209
页数 5页 分类号 TB34|TN305.94
字数 3779字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1001-9731.2017.06.036
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硅氧碳复合薄膜
氧空位
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50-1099/TH
16开
重庆北碚区蔡家工业园嘉德大道8号
78-6
1970
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