PECVD法制备纳米多孔SiOx薄膜

• 作者: 宋晓利 张改梅 曹玥 王灿 陈强
• 来源期刊: 包装工程
• 学科: 工学
• 关键词: 多孔SiOx薄膜 折射率 单体 沉积率
• 年，卷（期）: 2017,（19）
• 所属期刊栏目: 特色栏目——纳米材料
• 页码范围: 35-40
• 页数: 6页
• 分类号: TB484
• 语种: 中文

摘要

目的 研究基于等离子体增强气相化学沉积(PECVD)制备多孔SiOx薄膜的方法.方法 以六甲基二硅氧烷(HMDSO)为单体,并通入氧气、氩气,再加入少量的有机物质,通过辉光放电的方式形成等离子体,从而在玻璃基材表面沉积,制备出氧化硅薄膜,再在高温下进行热处理,使氧化硅薄膜中的碳氢键等有机组分被除去,形成孔隙.研究单体与氧气的比例、沉积时间、沉积功率等实验条件对沉积率、形貌、结构以及折射率的影响.结果 当放电时间为10 min,放电功率为50W,氧气与单体的体积比为1:6时,薄膜沉积速率达到最优值,为14.6 nm/min.伸缩振动的吸收强度随着氧气含量的增加强度降低.经过热处理后,氧化硅表面的平整度得到提升,热处理后断面的形貌发生了变化,出现了断面层开裂的现象.结论 通过PECVD沉积SiOx薄膜,通过加热形成孔隙制备多孔SiOx薄膜,能将介电常数降低到1.9以下.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈强		125	542	10.0	17.0
2	宋晓利		21	39	3.0	5.0
3	张改梅		46	170	6.0	12.0
4	王灿		5	5	1.0	2.0
5	曹玥		5	0	0.0	0.0