HMDSO添加对大气压Ar等离子体射流阵列放电特性的影响

• 作者: 侯永全 周若瑜 张波 方志 郝丽丽
• 来源期刊: 高电压技术
• 关键词: 等离子体射流 射流阵列 含硅成分 憎水性 放电特性
• 年，卷（期）: 2017,（6）
• 所属期刊栏目: 全国高电压与放电等离子体学术会议专题
• 页码范围: 1775-1783
• 页数: 9页
• 语种: 中文
• DOI: 10.13336/j.1003-6520.hve.201700527004

摘要

大气压等离子体射流阵列是适合大面积复杂材料表面处理的等离子体形式.针对材料表面处理对大面积等离子体源的需求,在实现大气压一维Ar等离子体射流阵列的基础上,在工作气体中添加六甲基二硅醚(HMDSO)来获得含憎水性成分的射流阵列放电,利用电学和光学的诊断方法诊断射流阵列的放电特性,并研究了外加电压幅值和HMDSO体积分数变化对射流阵列放电均匀性、放电功率、传输电荷和主要活性粒子的影响,进而优化了大气压Ar等离子体射流阵列的工作条件,为射流阵列憎水改性应用提供参考.结果表明:随着HMDSO体积分数增加,放电电流脉冲幅值、每半周期的脉冲个数、放电功率以及传输电荷均下降,放电耦合排斥作用被抑制,放电均匀性有所加强;除了Si谱线,放电产生的主要粒子谱线强度均随HMDSO体积分数的增加而减小;Si谱线随着HMDSO体积分数提高先增大后减小,在HMDSO体积分数为0.02％时,Si谱线强度出现极大值,因此工作于该条件下的Ar/HMDSO等离子体射流阵列应用于材料的表面憎水改性,有望获得良好效果.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	方志		79	835	17.0	23.0
2	郝丽丽		24	150	6.0	11.0
3	张波		19	22	3.0	4.0
4	周若瑜		3	0	0.0	0.0
5	侯永全		1	0	0.0	0.0