等离子增强原子层沉积低温生长GaN薄膜

• 作者: 刘邦武 夏洋 张柏诚 李敏 汤文辉
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 等离子增强原子层沉积 氮化镓 低温沉积
• 年，卷（期）: 2017,（9）
• 所属期刊栏目: 物理学交叉学科及有关科学技术领域
• 页码范围: 334-340
• 页数: 7页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.66.098101

摘要

采用等离子增强原子层沉积技术在低温下于单晶硅衬底上成功生长了GaN多晶薄膜,利用椭圆偏振仪、低角度掠入射X射线衍射仪、X射线光电子能谱仪对薄膜样品的生长速率、晶体结构及薄膜成分进行了表征和分析.结果表明,等离子增强原子层沉积技术生长GaN的温度窗口为210—270℃,薄膜在较高生长温度下呈多晶态,在较低温度下呈非晶态;薄膜中N元素与大部分Ga元素结合成N—Ga键生成GaN,有少量的Ga元素以Ga—O键存在,多晶GaN薄膜含有少量非晶态Ga2 O3.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李敏	山东科技大学材料科学与工程学院	90	787	14.0	25.0
2	刘邦武	中国科学院微电子研究所微电子设备技术研究室	17	96	6.0	8.0
3	汤文辉	山东科技大学材料科学与工程学院	1	1	1.0	1.0
12	张柏诚	中国科学院嘉兴微电子仪器与设备工程中心	1	1	1.0	1.0