碳化硅MOSFET用于500V低压直流断路器的可行性研究

• 作者: 丁锐 石新春
• 来源期刊: 电测与仪表
• 学科: 工学
• 关键词: 碳化硅MOSFET 直流断路器 直流电路模型 操作过电压 过电压保护电路
• 年，卷（期）: 2017,（14）
• 所属期刊栏目: 测量与控制
• 页码范围: 64-69
• 页数: 6页
• 分类号: TM933
• 字数: 3843字
• 语种: 中文

摘要

碳化硅MOSFET具有低导通损耗、开断速度快、耐高温等优点,其优异的开断性能是研制低压直流断路器的理想选择.从现有直流电压等级、绝缘水平和用电安全等角度确定断路器的工作电压等级,并搭建简易低压直流电路模型,估算模型中的各元件参数.在此基础上对断路器正常和短路两种状态下的过电压进行计算,同时根据厂家提供的碳化硅MOSFET参数及特性曲线,利用仿真软件saber建立模型,进行操作过电压分析.并设计两种过电压保护电路使SiC-MOSFET更加安全可靠工作,证明碳化硅MOSFET用于500 V直流断路器的可行性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	石新春	华北电力大学新能源与电力系统国家重点实验室	111	1901	24.0	39.0
2	丁锐	华北电力大学新能源与电力系统国家重点实验室	2	2	1.0	1.0