Ga掺杂对Cu3SbSe4热电性能的影响

• 作者: 刘叶烽 张文清 张继业 杨炯 邢娟娟 陈萝娜 骆军
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: Ga掺杂 Cu3 SbSe4 热电性能
• 年，卷（期）: 2017,（16）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 257-265
• 页数: 9页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.66.167201

摘要

采用熔融-淬火方法制备了Cu2.95GaxSb1?xSe4(x=0,0.01,0.02和0.04)样品,系统地研究了Ga在Sb位掺杂对Cu3SbSe4热电性能的影响.研究结果表明,少量的Ga掺杂(x=0.01)可以有效提高空穴浓度,抑制本征激发,改善样品的电输运性能.掺Ga样品在625 K时功率因子达到最大值10μW/cm·K2,比未掺Ga的Cu2.95 SbSe4样品提高了约一倍.但是随着Ga掺杂浓度的进一步提高,缺陷对载流子的散射增强,同时载流子有效质量增大,导致载流子迁移率急剧下降.因此Ga含量增加反而使样品的电性能恶化.在热输运方面,Ga掺杂可以有效降低双极扩散对热导率的贡献,同时掺杂引入的点缺陷对高频声子有较强的散射作用,因此高温区的热导率明显降低.最终该体系在664 K时获得最大Z T值0.53,比未掺Ga的样品提高了近50%.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	骆军	上海大学材料科学与工程学院	11	37	3.0	6.0
2	张继业	上海大学材料科学与工程学院	4	4	1.0	2.0
3	陈萝娜	上海大学材料科学与工程学院	1	3	1.0	1.0
4	刘叶烽	上海大学材料科学与工程学院	2	4	1.0	2.0
5	杨炯	上海大学材料科学与工程学院	6	7	2.0	2.0
6	邢娟娟	上海大学材料科学与工程学院	3	4	1.0	2.0
7	张文清	上海大学材料科学与工程学院	4	5	1.0	2.0