凌力尔特推出高速、高压侧N沟道MOSFET驱动器LTC7004

• 来源期刊: 电源世界
• 学科: 工学
• 关键词: N沟道MOSFET MOSFET驱动器 高压侧 Devices 电源电压 接通时间 半导体 充电泵
• 年，卷（期）: 2017,（9）
• 页码范围: 19-19
• 页数: 1页
• 分类号: TM407

摘要

9月初,亚德诺半导体（Analog Devices,Inc.,简称ADI）旗下凌力尔特公司（Linear Technology Corporation）推出高速、高压侧N沟道MOSFET驱动器LTC7004,该器件用高达60V的电源电压运行。其内部充电泵全面增强了外部N沟道MOSFET开关,从而使该器件能够保持接通时间无限长。