含B高导电Al-Si合金显微组织的观察与分析

• 作者: 刘红伟 徐雪璇 杨昭 王光旭 贺小龙 路建宁
• 来源期刊: 稀有金属材料与工程
• 学科: 工学
• 关键词: Al-Si合金 Al-B中间合金 电导率 晶格常数
• 年，卷（期）: 2017,（8）
• 所属期刊栏目: 材料工艺
• 页码范围: 2300-2305
• 页数: 6页
• 分类号: TG146.2+1
• 语种: 中文

摘要

通过电导率测量、金相观察、扫描电镜分析、透射电镜分析、X射线衍射分析和电子探针微量分析,研究了B的添加对铸造Al-Si合金晶格常数、晶粒尺寸和导电性能的影响.研究结果表明:当B的质量分数低于0.02％时,Al基体内各杂质元素Ti、Cr、Mn、V均以硼化物的形式从Al基体内析出,Al基体内的晶格畸变程度明显降低,电导率提高了6.45％;当B的质量分数超过0.02％时,B与Ti作用形成TiB2,TiB2促进Al3Ti相的形成,TiB2和Al3Ti共同促进晶粒细化,晶界增多,电子散射几率增加,同时过量的B固溶在Al基体内,电导率下降了2.55％;当B的质量分数为0.02％时,在保证合金的抗拉强度不降低的同时,合金的电导率达到最好,为33.00％IACS.