双V型结构削弱永磁直线电机磁阻力波动方法

• 作者: 刘铁法 张囡 彭兵 李丽萍 赵国新
• 来源期刊: 电工技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: 永磁直线电机 端部效应 齿槽效应 磁阻力 双V型结构
• 年，卷（期）: 2017,（22）
• 所属期刊栏目: 电机与电器
• 页码范围: 108-114
• 页数: 7页
• 分类号: TM351
• 字数: 3153字
• 语种: 中文
• DOI: 10.19595/j.cnki.1000-6753.tces.160688

摘要

磁阻力是单边平板型永磁直线电机(PMLM)推力波动的主要组成部分,影响了其在精密驱动领域的应用,为此,提出双V型结构削弱端部效应和齿槽效应产生的推力波动的方法.首先分析齿槽磁阻力和端部磁阻力的波动规律;然后基于积分法推导齿槽效应磁阻力与磁极的 V型深度之间关系.接着针对特定深度的 V 型磁极,推导端部效应磁阻力与 V 型端部电枢铁心 V型深度的关系.最后,以12槽10极PMLM为例,采用有限元仿真和实验验证,结果证明该方法能够有效削弱端部效应和齿槽效应产生的磁阻推力波动.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	彭兵	沈阳工业大学电气工程学院	14	58	4.0	7.0
2	赵国新	沈阳工业大学电气工程学院	10	28	2.0	5.0
3	李丽萍	沈阳工业大学电气工程学院	1	0	0.0	0.0
4	张囡	沈阳工业大学电气工程学院	4	6	1.0	2.0
5	刘铁法	沈阳工业大学电气工程学院	3	6	1.0	2.0