InGaAs/AlGaAs量子阱红外探测器中势垒生长温度的研究

• 作者: 唐沈立 张伟 彭长四 石震武 霍大云
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 中波红外探测 量子阱红外探测器件 InGaAs/AlGaAs多量子阱 温致弛豫
• 年，卷（期）: 2017,（6）
• 所属期刊栏目: 物理学交叉学科及有关科学技术领域
• 页码范围: 371-378
• 页数: 8页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.66.068501

摘要

InGaAs/AlGaAs量子阱是中波量子阱红外探测器件最常用的材料体系,本文以结构为2.4 nm In0.35Ga0.65As/40 nm Al0.34Ga0.66As的多量子阱材料为研究对象,利用分子束外延生长,固定InGaAs势阱的生长温度(465℃),然后依次升高分别选取465,500,545,580℃生长AlGaAs势垒层,从而获得四个不同的多量子阱样品.通过荧光光谱以及X射线衍射测试系统分析了势垒层生长温度对InGaAs量子阱发光和质量的影响,并较准确地给出了量子阱大致的温致弛豫轨迹:465—500℃,开始出现相分离,但缺陷水平较低,属弹性弛豫阶段;500—545℃,相分离加剧并伴随缺陷水平的上升,属弹性弛豫向塑性弛豫过渡阶段;545—580℃,相分离以及缺陷水平急剧上升,迅速进入塑性弛豫阶段,尤其是580℃时,量子阱的材料质量被严重破坏.