反射式变掺杂负电子亲和势GaN光电阴极量子效率研究

• 作者: 乔建良 常本康 徐源 牛军 高有堂
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: GaN 光电阴极 变掺杂 量子效率
• 年，卷（期）: 2017,（6）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 340-347
• 页数: 8页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.66.067903

摘要

从变掺杂负电子亲和势(NEA)GaN光电阴极材料的光电发射机理入手,给出了反射式变掺杂NEA GaN光电阴极内建电场和量子效率的计算公式.利用初步设计的变掺杂NEA GaN光电阴极,介绍了变掺杂NEA GaN阴极的激活过程和激活光电流的变化特点.结合国内外典型的变掺杂NEA GaN阴极的量子效率曲线,分析了GaN光电阴极量子效率曲线的特点.结果显示:由于内建电场的存在,反射式变掺杂NEA GaN光电阴极量子效率在240 nm处即可达到56%,在较宽的入射光波长范围内,阴极具有相对平稳的量子效率,量子效率值随入射光子能量的增加而增加,并且量子效率曲线在阈值附近表现出了明显的锐截止特性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	常本康	南京理工大学电子工程与光电技术学院	234	2020	19.0	30.0
2	高有堂	南阳理工学院电子与电气工程学院	30	78	5.0	7.0
3	乔建良	南阳理工学院电子与电气工程学院	34	217	10.0	13.0
4	牛军	南阳理工学院电子与电气工程学院	28	111	6.0	9.0
5	徐源	南京理工大学电子工程与光电技术学院	11	23	3.0	4.0