基于GaN HEMT的Doherty功率放大器设计

• 作者: 彭菊红 杨维明 王旭光 郑丽群
• 来源期刊: 现代电子技术
• 关键词: 功率放大器 GaNHEMT Doherty功率放大器 AB类功放
• 年，卷（期）: 2017,（22）
• 所属期刊栏目: 电子元器件设计与应用
• 页码范围: 131-133,136
• 页数: 4页
• 分类号: TN710-34|TN722
• 语种: 中文
• DOI: 10.16652/j.issn.1004-373x.2017.22.039

摘要

设计一款基于GaN HEMT的S波段Doherty功率放大器(DPA).主放大器是采用GaN HEMT设计的AB类功放,辅助放大器是GaN HEMT的C类功放.利用ADS对电路进行仿真,单音测试结果表明,DPA工作频率在2.3~2.4GHz,输入功率为29dBm时,工作增益不小于14dB,输出功率大于43dBm,功率附加效率超过65%.分析了辅助放大器偏置电压对DPA性能的影响,偏置电压变小,DPA的效率和线性度较好.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨维明	湖北大学计算机与信息工程学院	76	244	9.0	11.0
2	郑丽群	湖北大学计算机与信息工程学院	3	9	1.0	3.0
3	彭菊红	湖北大学计算机与信息工程学院	26	68	5.0	7.0
4	王旭光	湖北大学计算机与信息工程学院	10	19	3.0	4.0