基于键合线等效电阻的IGBT模块老化失效研究

• 作者: 周雒维 孙鹏菊 张晏铭 彭英舟 杜雄
• 来源期刊: 电工技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: 绝缘栅双极型晶体管 键合线 等效电阻 老化 可靠性
• 年，卷（期）: 2017,（20）
• 所属期刊栏目: 电力电子
• 页码范围: 117-123,132
• 页数: 8页
• 分类号: TM464
• 字数: 3885字
• 语种: 中文
• DOI: 10.19595/j.cnki.1000-6753.tces.160596

摘要

已有研究表明,键合线老化脱落失效是影响绝缘栅双极型晶体管(IGBT)可靠性的主要因素之一.以此为研究背景,首先根据IGBT模块内部键合线的结构布局与物理特性,分析键合线等效电阻与关断暂态波形的关系,建立键合线等效电阻与关断过程中密勒平台电压以及集电极电流的数学关系式,通过实验测量获得键合线等效电阻,最后分别对键合线等效电阻与键合线断裂数的关系进行定性与定量的分析,得出键合线等效电阻会随键合线断裂数的增加同方向变化,这也证明了本文所提方法的可行性和正确性.