GaN基通孔垂直结构的发光二极管失效分析

• 作者: 向昌明 夏云云 文尚胜 方方 符民 马丙戌
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 发光二级管 失效分析 空洞 可靠性
• 年，卷（期）: 2017,（4）
• 所属期刊栏目: 物理学交叉学科及有关科学技术领域
• 页码范围: 315-323
• 页数: 9页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.66.048501

摘要

基于X-射线透视仪进行无损伤检测发现发光二极管(LED)产品的封装会产生空洞的情况,特选取了GaN基通孔垂直结构的LED短路失效案例进行了失效性研究.利用光学显微镜、能谱仪和扫描电子显微镜对样品微观形貌进行表征,对失效样品进行金相切片处理,观察截面处形貌,最后根据分析结果得出样品的失效机理.分析结果表明:背金层空洞和固晶层空洞的存在加重了芯片通孔处应力不均,加快了GaN外延层的破裂的速度,致使LED失效.因此,在LED的封装过程中,也需要去避免空洞的产生,增加LED的可靠性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	文尚胜	华南理工大学发光材料与器件国家重点实验室	96	434	11.0	15.0
2	马丙戌	华南理工大学发光材料与器件国家重点实验室	14	51	4.0	6.0
3	方方		4	17	2.0	4.0
4	向昌明	华南理工大学发光材料与器件国家重点实验室	3	15	2.0	3.0
5	符民	华南理工大学发光材料与器件国家重点实验室	4	15	2.0	3.0
6	夏云云	华南理工大学发光材料与器件国家重点实验室	7	18	2.0	4.0