面向等离子体材料钨中氘/氦滞留行为的研究进展

• 作者: 叶小球 李强 杨勇彬 王维 金伟 陈长安 高涛
• 来源期刊: 材料导报
• 学科: 工学
• 关键词: 钨 氘 氦 滞留 起泡
• 年，卷（期）: 2017,（5）
• 页码范围: 112-117,134
• 页数: 7页
• 分类号: TL62+.7|TB31
• 字数: 4225字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11896/j.issn.1005-023X.2017.09.015

摘要

作为面向等离子体材料,钨(W)在服役的过程中不仅受到等离子体造成的高能热负荷的作用,还受到高束流粒子如氘(D)、氚(T)、氦(He)等的轰击和D-T聚变反应产生的高能中子的影响.W中D、T、He的滞留和起泡,仍是聚变堆装置中有待解决的关键问题之一.综述了D、T和He的滞留行为及其气泡形成与辐照条件之间的关系,简要评述了W的服役性能和强化机理.通过降低W中D/He滞留量、抑制气泡的形成可有效改善W的服役性能.深入研究D/He滞留行为与辐照缺陷之间的相互作用关系,进而构建D/He的宏观热脱附行为与其微观状态之间的对应关系,为寻找合适途径来改善W的服役性能提供理论支撑.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	高涛	四川大学原子与分子物理研究所	71	281	9.0	13.0