单晶CeB6发射性能及磁电阻各向异性研究

• 作者: Anne de Visser 冷华倩 包黎红 特古斯 陶如玉 黄颖楷
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: CeB6 逸出功 磁电阻
• 年，卷（期）: 2017,（18）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:结构、力学和热学性质
• 页码范围: 173-179
• 页数: 7页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.66.186102

摘要

采用X射线劳厄定向法对单晶CeB6的(110),(111),(210)和(310)晶面进行了定向.系统研究了不同晶面热发射性能及磁场对电阻率的影响规律.结果表明,当阴极温度为1873 K时(110),(111),(210)和(310)晶面最大发射电流密度分别为38.4,11.54,50.4和20.8 A/cm2,表现出了发射性能的“各向异性” RichardsonDushman公式计算逸出功结果表明,上述晶面中(210)晶面具有最低的逸出功,为2.4 eV.从实际应用来看,该晶面有望替代商业化的钨灯丝成为新一代的场发射阴极材料.磁电阻率测量结果显示,当晶体从[001]方向旋转至[011]方向时电阻率从73μQ·cm变化至69μQ·cm,表明电阻率在磁场中沿不同方向同样具有“各向异性”的特点.