二维半导体过渡金属硫化物的逻辑集成器件

• 作者: 于志浩 周健 施毅 李卫胜 汪树贤 王欣然 王瀚宸 黎松林
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 过渡金属硫族化合物 晶体管 迁移率 逻辑集成
• 年，卷（期）: 2017,（21）
• 所属期刊栏目: 专题:与硅技术融合的石墨烯类材料及其器件研究
• 页码范围: 236-257
• 页数: 22页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.66.218503

摘要

微电子器件沿摩尔定律持续发展超过50年,正面临着高功耗等挑战.二维层状材料可以将载流子限制在界面1 nm的空间内,部分材料展现出高迁移率、能带可调、拓扑奇异性等特点,有望给“后摩尔时代”微电子器件带来新的技术变革.其中,以MoS2为代表的过渡金属硫化物具有1-2 eV的带隙、良好的空气稳定性和工艺兼容性,在逻辑集成方面有巨大潜力.本文综述了二维过渡金属硫化物在逻辑器件领域的研究进展,重点讨论电子输运机理、迁移率、接触电阻等关键问题及集成技术的现状,并为今后的发展指出了方向.